澎芯半导体SiC MOSFET 1200V车规级平台推出新产品

      澎芯半导体SiC MOSFET产品门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL，经过6个月全面的设计开发和可靠性考核，新推出1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品，使得1200V电压平台的产品更加完善，此平台目前已量产的型号包括以下：

1. 1200V 80mΩ

2. 1200V 60mΩ

3. 1200V 40mΩ

4. 1200V 32mΩ

新推出的1200V 40mΩ产品，采用ⅡⅥ衬底，参数分布一致性较高，平均良率达到85%以上，达到业内领先水平。