澎芯半导体SiC SBD产品系列化布局优势

   SiC二极管已经大量运用于商业化电源，澎芯半导体在器件设计、工艺技术、晶圆制造、封装测试、可靠性验证等方面有一套完整的解决方案，目前已经规模化应用在包括光伏逆变器、充电桩、通讯电源、储能系统等工控领域。

1. 深度优化的器件设计结构，改善肖特基结的大漏电及低应用电压问题，降低了器件的关态耗散功率；

2. 采用特殊减薄工艺及欧姆接触工艺，降低器件导通电阻，有效提高应用电流；

3. 特色设计的封装技术，严选验证的封装材料，有更强的耐高温特性（175℃以上），符合RoHS标准；

4. 满足直流大电流、高压高频率，低耗散高温度的商用工业电源领域；

5. 耐压650V，1200V，1700V等级均有量产型号可供选择，电流能力覆盖2A~40A；

6. 贴片小封装PDFN5*6至直插大封装TO-247，直插两脚至共阴或共阳的不同封装，大电流器件的单芯或多芯封装，全覆盖；

7. 100%进行雪崩耐量测试（UIS），剔除早期失效的缺陷器件，进行有效的可靠性保障；

8. 汽车（OBC，充电桩，DC/DC等），工业（通信电源，UPS等），可再生能源（储能，光伏，风能等），轨道交通（火车牵引等）多个领域应用。