新年伊始，年味犹存，在素有“越国故地、西施故里”美誉的浙江诸暨，一家专注于SiC功率半导体器件研发的高科技企业——绍兴澎芯半导体有限公司已早早开工，投入了紧张有序的研发工作。

      这家科创型企业，由数位创始人共同发起，并获得多家专业半导体投资机构加持，在实际运营还不到一年时间，已成功向市场推出650V和1200V SiC系列化肖特基二极管，该系列产品已经得到下游部分客户的高度认同；此外，650V和1200V SiC MOSFET近期也将面市。

      这家公司之所以有如此快捷的产品研发速度和市场推广进程，按照澎芯半导体董事长计建新的话说：“QG刮刮乐有一支多年共事、经验丰富的研发经营团队和精准的产品市场定位”。

      澎芯半导体团队核心成员均来自国内顶尖半导体公司，在半导体器件研发和生产工艺领域有着15年以上的从业经验，在SiC功率半导体研发也已深耕7年之久，是国内较早从事SiC功率器件研发和生产的团队。澎芯团队曾成功建立过一条6英寸SiC器件生产线，成功量产了SiC肖特基二极管和MOSFET，具有丰富的SiC功率器件研发设计、晶圆工艺、系统应用等经验。

      据了解，澎芯半导体主要产品门类为SiC功率器件晶圆和封装成品，包括650V至1700V SiC JBS和MOSFET。他们的产品目标市场聚焦在新能源汽车OBC和充电桩、通信和服务器电源、太阳能逆变器以及UPS等领域。

     对标同类产品，该公司研制的SiC JBS具有低正向压降（典型1.3V）、高抗浪涌电流（典型10倍）和低反向漏电流；采用无损表面芯片加工技术开发的SiC MOSFET 具有低比导通电阻。

      澎湃动能、源自于芯，面对国内火热的SiC功率半导体领域，正如该公司名称所寓意的那样，澎芯半导体将秉持扎实务实的风格，厚积薄发，为中国SiC功率半导体领域迸发新动能，奏出新乐章！