澎芯半导体发布650V和1200V SiC MOS新品

10月12日，澎芯半导体正式发布新品—650V 60mΩ和1200V 40mΩ SiC MOSFET产品。

在此之前，澎芯半导体于今年5月份已发布1200V 80mΩSiC MOSFET，并且已在高压DC/DC、汽车OBC、逆变器等领域的多家客户批量供应。

公司此次发布的新产品可广泛应用于光伏逆变器、充电桩、通信电源、电机驱动及新能源充电等领域。

在新能源快速发展的背景下，澎芯半导体将积极地研究新产品与新技术，并且进一步协同供应商加大扩产力度，持续地提升公司的产品技术的领先性与供货能力。

根据公司的SiC MOSFET产品技术路径和发展规划，预计2023年Q2进入车规高功率芯片试生产，推动国产SiC产品“上车”。

除此之外，澎芯半导体2022年上半年完成PreA轮融资，将进一步完善器件测试评价中心、可靠性考核分析中心，以及进行配套的功率器件研发测试平台建设，为客户持续提供技术领先和品质可靠的产品。

未来有多远，始于脚下！