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澎芯半导体
POWERSiC Semiconductor

受邀参加《第十六届半导体行业协会半导体分立器件年会暨苏州第三代半导体产业融合创新发展高峰论坛》

发表时间:2022-07-18 11:54

绍兴澎芯受邀参加《第十六届半导体行业协会半导体分立器件年会暨苏州第三代半导体产业融合创新发展高峰论坛》,由公司技术负责人作“高性能的1200V 75mΩ SiC MOSFET的研制”的主题报告。

第十六届半导体行业协会半导体分立器件年会暨苏州第三代半导体产业融合创新发展高峰论坛.png应邀报告.png

苏州会议日程总体安排0720.pdf


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